清潔工程清潔空間的溫濕度控制主要根據(jù)工藝標(biāo)準(zhǔn)確定，但在滿足工藝標(biāo)準(zhǔn)的條件下，應(yīng)考慮人的舒適性。隨著空氣清潔度要求的提高，工藝對(duì)溫濕度的要求越來(lái)越嚴(yán)格。

未來(lái)將列出具體工藝對(duì)溫度的要求，但作為一般原則，由于尺寸精度越來(lái)越精細(xì)，對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求越來(lái)越小。例如，在大型集成電路制造的光刻曝光過(guò)程中，玻璃和硅片作為掩膜板材料的熱膨脹系數(shù)的差異越來(lái)越小。

直徑100 um硅片，溫度升高1度，導(dǎo)致0.24um線性膨脹，因此必須有±0.1度恒溫要求濕度值一般較低，因?yàn)槌龊购髸?huì)污染產(chǎn)品，尤其是怕鈉的半導(dǎo)體車間。這個(gè)車間的溫度不應(yīng)該超過(guò)25度，濕度過(guò)高會(huì)造成更多的問(wèn)題。當(dāng)相對(duì)濕度超過(guò)55%時(shí)，冷卻水管內(nèi)壁會(huì)結(jié)露。如果出現(xiàn)在精密裝置或電路中，會(huì)造成各種事故。相對(duì)濕度在50%時(shí)容易生銹。

此外，當(dāng)濕度過(guò)高時(shí)，很難通過(guò)空氣中的水分子將附著在硅片表面的灰塵化學(xué)吸附在表面。相對(duì)濕度越高，附著力越難去除。但當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，由于靜電的作用，顆粒容易吸附在表面，大量半導(dǎo)體器件容易穿透。硅片生產(chǎn)的濕度范圍為35-45%。

對(duì)于大多數(shù)清潔空間，為了避免外部污染，需要保持內(nèi)部壓力（負(fù)壓）高于外部壓力（負(fù)壓）。保持壓差一般應(yīng)符合以下原則：

1、潔凈空間的壓力遠(yuǎn)高于非潔凈空間。

2、潔凈度高的空間壓力遠(yuǎn)高于鄰近潔凈度低的空間壓力。

壓差的維持取決于新風(fēng)量，這應(yīng)該能夠補(bǔ)償在這種壓差下從間隙泄漏的風(fēng)量。因此，壓差的物理意義是通過(guò)潔凈室各種縫隙泄漏（或滲入）風(fēng)量時(shí)的阻力。